• 专注ReRAM新型存储器,「昕原半导体」宣布完成近亿美元Pre-A轮融资

    2021-04-06 09:18:41 | 热度:

  •  已实现28nm制程下ReRAM芯片的量产

    作者:乔雨萌

    编辑:Lina

    新型半导体存储技术公司「昕原半导体」宣布完成近亿美元的Pre-A轮融资,本轮融资由上海联和投资领投,联升投资、昆桥资本、联新资本等基金跟投,主要用于存储芯片的小型量产线的建设,以及安全存储芯片的投片和量产。该公司的历史股东包括KPCB、北极光创投、Lam Research、赛富亚洲、宽带资本、元禾谷风等基金。

    「昕原半导体」专注于ReRAM领域,是一家集核心技术、工艺制程、芯片设计、IP授权和生产服务于一体的新型IDM公司。该公司的核心产品覆盖高工艺嵌入式存储、高密度非易失性存储、存内计算及存内搜索等多个领域,并且拥有自己的存储芯片制造产线,已实现28nm制程下ReRAM芯片的量产

    ReRAM即电阻式记忆存储器,是基于电阻式随机存取的一种非易失性存储器。ReRAM的主要优势众多,包括高性能、CMOS兼容性、低功耗、高密度、能扩展到先进工艺节点、由于材料结构简单能够进行大批量生产和供应,同时能够满足神经形态计算等应用对能耗、性能和存储密度的要求等。这些特点使得ReRAM在下一代存储器占据先发优势。

    随着物联网时代到来,防伪、身份识别等安全需求日益增加。昕原半导体的首款产品立足解决物联网市场的安全需求,可以应用于多个物联网安全场景。借助基于ReRAM的物理不可克隆函数(PUF),昕原半导体在每颗芯片上自动生成一个独特的身份指纹。该指纹具有很高的稳定性,不会随温度、电压等环境因素而改变。昕原半导体CEO张翔告诉36氪,这款产品已于2020年底完成full mask流片,计划于2021年7月开始销售。

    此外,近年来半导体技术快速发展,如何满足海量数据计算条件下更高密度与更高性能的存储是当前存储器发展的主要瓶颈。具体而言,存储技术存在的问题主要包括:存储器性能慢于处理器,且这一差距以每年50%的速率扩大;AI计算无法承载需求对应的如此大的存储数据搬运和计算功耗;传统存储介质与内存介质在速度、功耗和密度上存在着巨大差距;40nm及以下的制程中没有高性能或低功耗的嵌入式非易失性存储技术。

    针对业内普遍存在的“存储墙”问题,昕原半导体以ReRAM技术切入,研发基于ReRAM的SCM存储器,替代传统的存储架构。据公司介绍,SCM的访问性能延迟为传统SSD的1/8-1/64,寿命可达传统SSD的100倍,功耗可实现DRAM的1/10。这也为客户带来了较为明显的价值提升,可以使存储系统访问延时降低50%,I/O吞吐量提升80%

    解决“存储墙”问题再进一步的方法是革新计算架构,通过

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